东芝推出新款12V共漏极N沟道MOSFET 助力移动设备电池保护
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【ITBEAR科技资讯】5月18日消息，东芝电子元件及存储装置株式会社(以下简称"东芝")在今日宣布推出一款名为"SSM14N956L"的新型电子器件。该器件为一款12V共漏极N沟道MOSFET，额定电流为20A，主要应用于移动设备锂离子电池组的电池保护电路。该产品从今日起开始提供批量出货。
为了提高锂离子电池组的安全性，高度稳定的保护电路是必不可少的。这些电路需要具备低功耗和高密度封装的特点，并要求MOSFET体积小巧纤薄，同时具备更低的导通电阻。
SSM14N956L采用了东芝自家专利的微加工工艺，与之前发布的SSM10N954L采用相同技术。该器件以其行业领先的低导通电阻特性实现了低功耗，同时通过业界领先的低栅源漏电流特性降低了待机功耗。这些特性有助于延长电池的使用时间。此外，新产品还采用了一种名为TCSPED-302701的新型小巧纤薄封装(尺寸为2.74mm×3.0mm，厚度约为0.085mm)。
据ITBEAR科技资讯了解，东芝的新型电子器件SSM14N956L将为移动设备锂离子电池组的保护电路提供更加可靠和高效的解决方案。其低功耗和高密度封装特性将帮助减少充放电时的热量产生，进一步提升电池组的安全性能。此次推出的产品不仅在导通电阻和待机功耗方面达到了行业领先水平，还为移动设备的设计提供了更多灵活性。东芝的技术创新将进一步推动移动设备电池技术的发展，满足用户对长时间续航和安全性的需求。
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